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IXTA14N60P IXTP14N60P
IXTQ14N60P
50
45
Fig. 7. Input Admittance
27
24
Fig. 8. Transconductance
40
21
T J = - 40oC
25oC
35
30
25
T J = 125oC
25oC
- 40oC
18
15
125oC
12
20
15
10
5
0
9
6
3
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
50
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
45
40
35
30
25
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 7A
I G = 10mA
20
15
10
5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
1,000
Ciss
R DS(on) Limit
25μs
100μs
100
10
1
Coss
Crss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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